筆者作為專利權(quán)方，參與了從接收無效請求到發(fā)出無效決定的整個(gè)無效答辯環(huán)節(jié)。該案件信息如下：

初步分析無效請求，認(rèn)為其專利權(quán)維持難度很大，具體案情為：

授權(quán)文本專利權(quán)利要求1-8的保護(hù)范圍如下圖所示：

本專利權(quán)利要求1與對比文件1相比，結(jié)合附圖所示，其對比文件1公開了單晶硅襯底、單晶硅微針針體陣列和通量孔，具有如下區(qū)別技術(shù)特征：

             本專利                                     對比文件1

1.本專利的通量孔為單個(gè)，對比文件1為微孔為陣列；

2.本專利的通量孔的形狀為多邊形中的一種，對比文件1附圖中公開的是圓形；

具體分析，區(qū)別特征（1）通量孔為單個(gè)被對比文件2公開。

區(qū)別特征（2）通量孔的形狀是圓形還是多邊形是常規(guī)選擇，且說明書中并未記載其技術(shù)效果。

由此分析認(rèn)為權(quán)1專利權(quán)維持的難度很大。而后的從屬權(quán)利要求2-3以及權(quán)7的特征被對比文件1公開了，權(quán)8僅僅限定了通量孔的大致范圍，與對比文件2公開的通量孔的范圍有交集。因此原始從屬權(quán)利要求2-3，7以及權(quán)利要求8的附加技術(shù)特征的創(chuàng)造性爭辯難度很大。

單獨(dú)分析權(quán)4，其所述單晶硅微針針體陣列排布方式為蜂窩型方形或者三角形的一種，其中對比文件1和對比文件2公開了方形的微針陣列排布方式，其轉(zhuǎn)化為蜂窩型或者三角形容易被認(rèn)為為常規(guī)選擇，其技術(shù)效果也是可預(yù)期的。

單獨(dú)分析權(quán)5和權(quán)6，其權(quán)5限定了所述蜂窩型微針針體陣列中的單個(gè)蜂窩型中設(shè)置一個(gè)通量孔。權(quán)6限定了所述三角型微針針體陣列中的單個(gè)三角型中設(shè)置一個(gè)通量孔。而對比文件2公開了方形微針針體陣列中設(shè)置一個(gè)通量孔的技術(shù)特征。

總體分析來說，權(quán)1-3，7-8爭辯空間很小，而權(quán)4-6雖然具有實(shí)質(zhì)性區(qū)別，但是其也容易被認(rèn)定為常規(guī)技術(shù)手段。

既然權(quán)1-3，7-8爭辯空間很小，專利權(quán)維持概率很小，專利權(quán)方修改了權(quán)利要求；

修改后的權(quán)1為：一種單晶硅高通量微針結(jié)構(gòu)，包括單晶硅襯底、單晶硅微針針體陣列和通量孔，所述單晶硅微針針體陣列均勻分布在所述單晶硅襯底上表面，所述通量孔為單個(gè)或多個(gè)，貫穿設(shè)置于所述單晶硅襯底上，所述通量孔的形狀為圓形或多邊形中的一種，所述通量孔和所述單晶硅微針針體陣列互不干涉；所述單晶硅微針針體陣列排布方式為蜂窩型。

修改后的權(quán)7為：一種單晶硅高通量微針結(jié)構(gòu)，包括單晶硅襯底、單晶硅微針針體陣列和通量孔，所述單晶硅微針針體陣列均勻分布在所述單晶硅襯底上表面，所述通量孔為單個(gè)或多個(gè)，貫穿設(shè)置于所述單晶硅襯底上，所述通量孔的形狀為圓形或多邊形中的一種，所述通量孔和所述單晶硅微針針體陣列互不干涉；所述單晶硅微針針體陣列排布方式為三角型。

嘗試通過進(jìn)一步限定單晶硅微針針體陣列排布方式爭取專利權(quán)的維持。

經(jīng)過無效請求的答辯以及口審的準(zhǔn)備，專利權(quán)方仔細(xì)研究專利申請文本，尋找破解區(qū)別特征被認(rèn)定為常規(guī)技術(shù)手段的方法，發(fā)現(xiàn)說明書中記載了所述蜂窩型微針針體陣列中的單個(gè)蜂窩型中設(shè)置一個(gè)通量孔的技術(shù)特征。具體如下：

針對此技術(shù)特征重點(diǎn)在口審階段進(jìn)行了爭辯，如下：

最終，該專利在修改后的權(quán)5和權(quán)11的基礎(chǔ)上維持專利權(quán)部分有效。

并且無效決定中記載修改后的權(quán)5具備創(chuàng)造性的理由：

由此可知，權(quán)5中的技術(shù)特征是被認(rèn)定是一個(gè)整體，陣列形狀以及通量孔設(shè)置為一個(gè)其是不可分割的，不能單獨(dú)評定技術(shù)特征陣列的形狀以及通量孔為一個(gè)，否則容易被認(rèn)定為常規(guī)技術(shù)手段。

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